MDPmap：
单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。
特点：
◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况
◇ 测量速度：6英寸硅片<5min，分辨率为1mm
◇ 寿命范围：20ns到几十ms
◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染
◇ 测量能力：从切割好的硅片到加工的样品
◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发
◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间>99%
◇ 重复性：> 99%
◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准
技术规格:
样品尺寸 | 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm |
寿命测量范围 | 20ns至几十ms以上 |
电阻率 | 0.2 - >10³Ω·cm，p-型/n-型 |
样品材料 | 硅片、外延层、部分或加工的硅片、化合物半导体及更多材料 |
可测量的特性 | 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 |
激发波长 | 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) |
尺寸规格 | 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 |
电源 | 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A |
MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪 - 细节：
◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。
◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。
附加选项：
◇ 光斑大小的变化
◇ 电阻率测量（晶圆）
◇ 方块电阻
◇ 背景/偏光
◇ 反射测量（MDP）
◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量）
◇ 偏压MDP
◇ 参考晶圆
◇ 硅的内部/外部铁制图
◇ 集成加热台
◇ 灵活的激光器配置
MDPmap单晶和多晶硅片寿命测量仪 - 测量案例：
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钝化多晶硅的寿命图 | 多晶硅的铁污染图 |
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| 单晶硅的硼氧图 | 单晶硅的缺陷密度图 |
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| 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） | |
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| 高阻硅片（＞10000Ω·cm）-少数载流子寿命mapping图 | |
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| 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 | |
MDPmap 应用：
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